第 1 步 · 氧化
在硅片表面生长一层二氧化硅，作为后续图形的掩蔽或栅介质的起点。
为什么要这一步：氧化层把“要刻的”和“要保住的”分开，也是 MOS 结构里绝缘的物理基础。
不写炉温曲线、气体配比或具体厚度控制配方。
平面工艺
集成电路不是把零件焊到硅上，而是在同一块晶圆上反复“生长—画图—挖掉—再长一层”。下面八步是大学微电子课里的公开顺序。每一步只讲它在系统里做什么，不给可以拿到车间去复现的参数。
在硅片表面生长一层二氧化硅，作为后续图形的掩蔽或栅介质的起点。
为什么要这一步：氧化层把“要刻的”和“要保住的”分开，也是 MOS 结构里绝缘的物理基础。
不写炉温曲线、气体配比或具体厚度控制配方。
真正的流水线会把光刻与刻蚀循环几十次。这里压成一条教学链，是为了看见：分辨率卡在光刻，平坦度卡在抛光，延迟越来越卡在金属连线，最后还要封装才能成为一颗能焊到板上的器件。
本页为教科书级教学模型，不是运行或设计手册。任何工程作业须由持照专业人员按当地法规执行。